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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3457
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
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