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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
18.5
写入速度,GB/s
10.1
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3457
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
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