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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
25
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
21.0
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
21
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
21.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
4250
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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