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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
63
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
2370
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
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