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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
63
左右 -163% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
24
读取速度,GB/s
3,231.0
15.4
写入速度,GB/s
1,447.3
11.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2370
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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