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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
66
左右 -230% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
20
读取速度,GB/s
2,929.1
19.7
写入速度,GB/s
2,978.2
15.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3473
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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