RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
53
En 53% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
53
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2301
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link