RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
53
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
16.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
53
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
2301
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link