RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
32
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3023
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link