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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
32
周辺 22% 低遅延
考慮すべき理由
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.3
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
32
読み出し速度、GB/s
16.1
17.3
書き込み速度、GB/秒
10.1
12.6
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3023
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
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Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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