RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
10.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2327
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link