RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
35
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
10.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2327
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link