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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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Especificaciones
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
25
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
22
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3515
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Mushkin 991586 2GB
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
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