RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
25
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
22
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3515
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link