RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
40
En 38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
40
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2972
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link