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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2168
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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