RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
7.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2320
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link