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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
16.1
15.1
写入速度,GB/s
10.1
7.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2320
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
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