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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
62
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
38
读取速度,GB/s
3,556.6
17.9
写入速度,GB/s
1,843.6
10.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3030
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
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