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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
49
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
29
读取速度,GB/s
10.2
18.3
写入速度,GB/s
8.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3442
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
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Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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