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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
54
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
38
读取速度,GB/s
9.2
17.9
写入速度,GB/s
8.1
10.4
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3030
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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