RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
54
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
38
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3030
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF560C40-16 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link