RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
62
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
38
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3030
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link