RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
77
左右 -148% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
31
读取速度,GB/s
3,405.2
18.4
写入速度,GB/s
2,622.0
14.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3500
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link