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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston XF875V-MIH 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Kingston XF875V-MIH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XF875V-MIH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2785
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
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