RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3324
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link