Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Puntuación global
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 29
    En 14% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 15.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.2 left arrow 10.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 12800
    En 1.5 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 29
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 15.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 12.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2764 left arrow 2865
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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