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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
15.8
写入速度,GB/s
10.1
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2865
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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