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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
69
左右 -156% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
27
读取速度,GB/s
4,217.2
18.6
写入速度,GB/s
1,857.7
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3938
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
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