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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
69
En -156% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3938
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B2GC9.CY10C 4GB
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