Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Puntuación global
star star star star star
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 36
    En 31% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 13.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 9.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 36
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 13.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 9.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2764 left arrow 1778
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones