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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
43
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
43
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2532
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
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