RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2910
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link