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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Razones a tener en cuenta
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.1
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
16.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3778
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
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