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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
37
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2191
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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