Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    25 left arrow 37
    Intorno 32% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.1 left arrow 13.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    10.2 left arrow 10.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    25 left arrow 37
  • Velocità di lettura, GB/s
    16.1 left arrow 13.9
  • Velocità di scrittura, GB/s
    10.1 left arrow 10.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2764 left arrow 2191
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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