Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Puntuación global
star star star star star
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 30
    En 17% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 13
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    25 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.1 left arrow 13.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.1 left arrow 6.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2764 left arrow 2317
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones