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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
16.1
13.0
写入速度,GB/s
10.1
6.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2317
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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