RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En 17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2034
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link