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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Compara
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
65
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
30
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1370
3550
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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