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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Puntuación global
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Puntuación global
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
65
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
14900
En 1.29 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
47
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
19200
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1370
2308
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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