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Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
65
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14900
Intorno 1.29 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
47
Velocità di lettura, GB/s
6.8
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
19200
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1370
2308
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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