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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
38
Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.8
10.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
38
Velocità di lettura, GB/s
15.8
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
2581
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
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