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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
総合得点
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
総合得点
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
38
周辺 5% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
13.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
10.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11% 高帯域
考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
バグを報告する
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
38
読み出し速度、GB/s
15.8
13.9
書き込み速度、GB/秒
11.8
10.9
メモリ帯域幅、mbps
21300
19200
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2497
2581
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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