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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
38
Por volta de 5% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
38
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.9
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
2581
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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