RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Comparar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
48
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
8.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
48
31
Velocidade de leitura, GB/s
8.9
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
10.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1420
3039
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link