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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
比较
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
38
读取速度,GB/s
15.8
13.9
写入速度,GB/s
11.8
10.9
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2497
2581
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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