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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905678-139.A00G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 -185% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
27
读取速度,GB/s
3,405.2
13.2
写入速度,GB/s
2,622.0
8.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2324
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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