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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
61
En 30% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
61
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2136
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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