RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Сравнить
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
61
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
14.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
61
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
17.9
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2506
2136
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link